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化学气相沉积薄膜

通过化学气相沉积(PECVD)的方法,在基底沉积介质薄膜。主要为SiO和SiN薄膜。

设备型号为Oxford PlasmaPro 100 PECVD,最大支持6寸片。沉积温度为300度。

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服务介绍:

通过化学气相沉积(PECVD)的方法,在基底沉积介质薄膜。主要为SiO和SiN薄膜。

设备型号为Oxford PlasmaPro 100 PECVD,最大支持6寸片。沉积温度为300度。

服务内容:

1. 基片清洗(视情况而定)

2. PECVD沉积薄膜

3. 光学检测


服务说明:

客户提供:基片。确认基片承受的温度范围。

实验周期:1-2个工作日。

收费标准:××元/片次;特殊片另行协商。


成果展示: