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反应耦合等离子刻蚀

通过反应耦合等离子刻蚀(ICP)的方法,刻蚀基底材料。最大支持6寸片。

刻蚀Si的设备型号为Oxford PlasmaPro 100 Cobra。

刻蚀InP, GaN, GaAs的设备型号为Samco RIE-200iP。

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服务介绍:

通过反应耦合等离子刻蚀(ICP)的方法,刻蚀基底材料。最大支持6寸片。

刻蚀Si的设备型号为Oxford PlasmaPro 100 Cobra。

刻蚀InP, GaN, GaAs的设备型号为Samco RIE-200iP。

服务内容:

1. 反应耦合等离子刻蚀基底

2. 光学检测


服务说明:

客户提供:基片。提供掩模图形信息(光刻胶/介质/金属等)。特殊材料刻蚀,需提供刻蚀工艺参数。

实验周期:1-2个工作日。

收费标准:××元/片次;特殊片另行协商。


成果展示: