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反应离子刻蚀

通过反应离子刻蚀(RIE)的方法,刻蚀基底材料。主要为刻蚀SiO和SiN。

设备型号为Oxford PlasmaPro 100 RIE,最大支持6寸片。

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服务介绍:

通过反应离子刻蚀(RIE)的方法,刻蚀基底材料。主要为刻蚀SiO和SiN。

设备型号为Oxford PlasmaPro 100 RIE,最大支持6寸片。

服务内容:

1. 反应离子刻蚀基底

2. 去除光刻胶(可选)

3. 光学检测


服务说明:

客户提供:基片。提供掩模图形信息(光刻胶/介质/金属等)。

实验周期:1-2个工作日。

收费标准:××元/片次;特殊片另行协商。


成果展示: